研究背景與挑戰(zhàn)

反式鈣鈦礦太陽能電池因其穩(wěn)定性與低遲滯現(xiàn)象，被視為商業(yè)潛力的新興技術。目前采用單步驟沉積法制備的器件已實現(xiàn)超過26%的認證效率，但此方法常導致晶粒尺寸較小，限制了性能進一步提升。

兩步驟序列沉積法理論上能獲得晶粒尺寸更大、質(zhì)量更高的鈣鈦礦薄膜，然而在反式器件中的應用卻面臨顯著挑戰(zhàn)，其認證效率約24%，遠低于單步驟法。

核心技術瓶頸

效率滯后的根本原因在于序列沉積法需要150°C高溫退火才能實現(xiàn)δ-相到α-相的相變，但高溫對反式器件造成兩個致命問題：

• 埋藏界面劣化：自組裝單分子層在高溫下脫附，導致非輻射復合顯著增加

• 頂部界面缺陷：有機組分損失形成富含PbI?的高缺陷表面，嚴重阻礙電荷傳輸

這些界面問題共同導致開路電壓損失和載流子動力學惡化，嚴重制約器件整體性能。因此，開發(fā)無需高溫退火即可實現(xiàn)完整相變的序列沉積方法，是當前領域需解決的關鍵難題。

研究團隊與成果

研究由上海交通大學金屬基復合材料國家重點實驗室的韓禮元教授（Liyuan Han）和王言博教授（Yanbo Wang）教授領導，成果發(fā)表于Nature Communications。

針對傳統(tǒng)序列沉積法需要150°C高溫退火所引起的界面問題，研究團隊開發(fā)了低溫序列沉積法（LTSD）。其核心創(chuàng)新在于向碘化鉛前驅(qū)物溶液中引入EMI-DMP添加劑，有效促進碘化鉛與有機鹽的充分反應，并顯著降低δ-相到α-相鈣鈦礦的能量障礙，使相變溫度降至110°C。

透過此低溫方法，研究團隊成功避免了埋藏SAMs損害和頂部過量PbI?形成，制備出平均晶粒尺寸超過1.3微米的高質(zhì)量α相鈣鈦礦薄膜。最終實現(xiàn)了1.21V的開路電壓和26.0%的認證功率轉換效率，創(chuàng)下目前基于序列沉積法制備含SAMs反式鈣鈦礦太陽能電池的高效率紀錄，同時展現(xiàn)出優(yōu)異的長期穩(wěn)定性。

Fig 4a

實驗方法與步驟

研究透過對比傳統(tǒng)序列沉積法（對照組）與創(chuàng)新的低溫序列沉積法（LTSD），驗證了降低相變溫度的有效性。

器件制備流程

實驗以FTO玻璃為基底，依序制備NiO電洞傳輸層和Me-4PACz自組裝單分子層（100°C退火固定）。

鈣鈦礦層制備對比

• 對照組（傳統(tǒng)方法）：將PbI?溶液旋涂于基底并70°C退火，隨后旋涂FAI:MABr:MACl有機鹽溶液，進行150°C高溫退火完成相變

• LTSD方法：關鍵創(chuàng)新在于向PbI?前驅(qū)物溶液中添加EMI-DMP添加劑，采用相同沉積程序但將退火溫度降至110°C

器件完成

鈣鈦礦層形成后，依序沉積PEACl鈍化層、PCBM電子傳輸層、BCP緩沖層，最后熱蒸鍍90nm銅電極。完成的器件覆蓋MgF?抗反射涂層并用UV固化樹脂封裝。

理論機制解析

研究團隊利用密度泛函理論計算分析EMI-DMP如何降低δ-相到α-相鈣鈦礦的能量障礙，從理論角度解釋了低溫相變的機制。

Fig 2a.b

表征方法與結果

準費米能級分裂 (QFLS) 與光致發(fā)光量子效率 (PLQY)

QFLS 直接反映了器件的最大開路電壓潛力，而 PLQY 則評估了光生載流子的非輻射復合損失。更高的 QFLS 和 PLQY 通常意味著更低的非輻射復合，進而帶來更高的 VOC。

LTSD 鈣鈦礦/PCBM 堆棧的 PLQY 從對照組的 1.14% 顯著增加到 9.08%。對應地，其 QFLS 從 1.17 eV 提升到 1.22 eV。這與 LTSD 器件更高的 VOC 測量結果一致。

圖 4e：比較了對照組和 LTSD 結構的 PLQY 和 QFLS。清晰顯示 LTSD 在兩項指針上均有顯著提升。

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太陽能電池性能評估：J-V 曲線與 外部量子效率EQE

J-V 曲線用于評估太陽能電池的特性，包括功率轉換效率 (PCE)、開路電壓 (VOC)、短路電流密度 (JSC) 和填充因子 (FF)。EQE 則測量電池將不同波長光子轉換為電子的效率，并可驗證 J-V 曲線中的 JSC 值。

LTSD 方法制備的器件展現(xiàn)出顯著的性能。在優(yōu)化 EMI-DMP 濃度（0.6 mg/mL）后，LTSD 器件在反向掃描下獲得了 26.5% 的 PCE，其中 VOC 為 1.21 V，JSC 為 26.5 mA cm?2，FF 為 82.8%。這與對照組器件的 24.5% PCE 形成鮮明對比23。LTSD 器件也表現(xiàn)出可忽略的遲滯現(xiàn)象。經(jīng)獨立實驗室認證，LTSD 器件的 PCE 達到 26.0% (FigS. 30)。此外，LTSD 器件的 EQE 積分電流密度（25.98 mA cm?2）與其 JSC 值高度一致。

圖 4a：展示了對照組 (Control) 和 LTSD 器件在反向掃描下的 J-V 曲線。可見 LTSD 器件的曲線面積更大，代表更高的效率。

圖 4d：呈現(xiàn)了對照組和 LTSD 器件的 EQE 光譜。LTSD 器件在可見光和近紅外區(qū)的 EQE 數(shù)值更高，且積分電流密度與 J-V 測量結果一致。

穩(wěn)定性測試 (Stability Tests)

評估太陽能電池在加速老化條件下的長期工作穩(wěn)定性。

封裝后的 LTSD 器件展現(xiàn)出穩(wěn)定性。在 85°C/85% RH 的濕熱環(huán)境下（ISOS-D-3 協(xié)議），經(jīng)過 1000 小時老化后，LTSD 器件仍能保持其初始效率的 93.1%。在 65°C 下進行最大功率點追蹤測試（ISOS-L-2 協(xié)議），LTSD 器件在 1000 小時后仍維持初始效率的 95.4%。相比之下，對照組器件在相同測試條件下迅速降解。

圖 4g：展示了封裝對照組和 LTSD 器件在 85°C/85% RH 濕熱條件下的歸一化 PCE 隨時間的變化。LTSD 器件的效率衰減極為緩慢。

圖 4h：顯示了封裝對照組和 LTSD 器件在 65°C 和 1 太陽光照下的最大功率點追蹤結果。LTSD 器件的性能保持得非常出色。

缺陷密度評估：TAS 和 DLCP (熱導納光譜與驅(qū)動級電容分布)

熱導納光譜 (TAS) 用于分析器件中陷阱態(tài)的空間和能量分布，特別是深層陷阱。驅(qū)動級電容分布 (DLCP) 則用于可視化陷阱密度在器件內(nèi)的軸向空間分布。

LTSD 器件的 Mott-Schottky 分析顯示出更高的內(nèi)建電位 (Vbi)（1.20 V 對比對照組的 1.14 V），表明界面能量損失減少。TAS 測量表明 LTSD 器件的陷阱態(tài)密度 (tDOS) 顯著降低，尤其是在深層陷阱區(qū)域。DLCP 結果進一步證實，LTSD 鈣鈦礦薄膜頂部和埋藏界面的陷阱密度均顯著降低。

圖 3e：顯示了對照組和 LTSD 器件的能量相關陷阱態(tài)密度 (tDOS) 曲線。LTSD 器件的曲線明顯低于對照組，尤其是在深層陷阱（高能量）區(qū)域。

圖 3f：展示了對照組和 LTSD 器件的陷阱密度隨探測距離的變化。LTSD 器件在薄膜兩側（頂部和埋藏界面）的陷阱密度均大幅降低。

其他表征

TOF-SIMS (飛行時間二次離子質(zhì)譜) 分析薄膜中元素的深度分布以確定EMI-DMP位置。磷信號均勻分布在PbI?薄膜中，鈣鈦礦結晶后主要位于埋藏界面。(圖3b)

KPFM (開爾文探針力顯微鏡) 測量表面電位分布評估SAM完整性。Me-4PACz SAM在110°C退火后保持完整，但150°C退火后發(fā)生脫附，LTSD處理后表面電位分布更均勻。(圖S6)

XPS (X射線光電子能譜) 分析表面元素組成和化學態(tài)探討分子相互作用。EMI-DMP與Pb2?存在強烈相互作用，LTSD鈣鈦礦薄膜Pb 4f結合能向低能量偏移，表明PbI?和Pb?缺陷減少。(圖3a)

XRD/GIXRD (X射線繞射/掠入射X射線繞射) 分析薄膜晶體結構和相純度。EMI-DMP使鈣鈦礦在110°C即可實現(xiàn)α相轉變，制備出平均超過1.3微米的大晶粒薄膜。(圖2b)

SEM (掃描電子顯微鏡) 觀察薄膜表面形態(tài)和晶粒大小。LTSD制備的鈣鈦礦薄膜表面整潔，晶粒尺寸大且均勻，與對照組表面PbI?薄片形成對比。(圖2e)

AFM (原子力顯微鏡) 測量薄膜表面粗糙度。LTSD鈣鈦礦薄膜粗糙度從31.1 nm降低到26.2 nm，歸因于表面多余PbI?的消除。(圖2f)

FTIR (傅立葉變換紅外光譜) 分析EMI-DMP與PbI?間分子相互作用。EMI-DMP加入后C–H和C=N伸縮振動峰向低波數(shù)移動，表明存在相互作用。(圖1h)

UPS (紫外光電子能譜) 確定器件各層能級對準情況。LTSD鈣鈦礦與電子傳輸材料具有更好的能級對準，有利于電荷萃取。(圖S16)

TPV/TPC (瞬態(tài)光電壓與瞬態(tài)光電流) 測量電荷復合和萃取動力學。LTSD器件顯示更慢的TPV衰減和更快的TPC衰減，表明非輻射復合減少且電荷傳輸改善。(圖3g、3h)

UV-vis absorption (紫外-可見光吸收光譜) 監(jiān)測薄膜光學穩(wěn)定性。20天1太陽光照老化測試中，LTSD鈣鈦礦薄膜吸收光譜無明顯變化，展現(xiàn)優(yōu)異光穩(wěn)定性。(圖S24b)

Steady-state PL (穩(wěn)態(tài)光致發(fā)光) 評估非輻射復合和薄膜整體質(zhì)量。LTSD鈣鈦礦薄膜顯示更高PL強度，表明非輻射復合受到抑制，老化期間光譜保持穩(wěn)定。(圖S22)

DFT Calculation (密度泛函理論計算) 從理論層面解釋EMI-DMP對相變能量障礙的影響。計算顯示δ相到α相鈣鈦礦的能量障礙從0.515 eV降低到0.429 eV。(圖2c)

結論

研究團隊開發(fā)了低溫序列沉積法（LTSD），通過引入EMI-DMP添加劑成功解決了傳統(tǒng)兩步驟沉積法在高溫退火下導致的SAM損壞和過量PbI?殘留問題，實現(xiàn)了高效能反式鈣鈦礦太陽能電池。

1.核心創(chuàng)新與機制

EMI-DMP添加劑與PbI?骨架形成多孔復合物，促進有機鹽滲透并充分反應，同時降低δ相到α相鈣鈦礦的能量勢壘（從0.515 eV降至0.429 eV），使相變溫度降至110°C，有效避免了埋藏界面SAM損壞和頂部界面過量PbI?形成。

2.薄膜質(zhì)量顯著提升

LTSD方法制備的鈣鈦礦薄膜具有高度結晶的α相，平均晶粒尺寸超過1.3 μm，表面粗糙度從31.1 nm降至26.2 nm。TAS和DLCP測量顯示陷阱態(tài)密度顯著降低，特別是在深陷阱區(qū)域，有效抑制了非輻射載流子復合并加速了載流子提取。

3.光電性能突破

LTSD器件實現(xiàn)了1.21 V的開路電壓和26.5%的器件效率（反向掃描）。經(jīng)中國科學院上海微系統(tǒng)與信息技術研究所獨立認證，獲得了26.0%的PCE，創(chuàng)下目前基于序列沉積法制造的含SAM反式鈣鈦礦太陽能電池的最高認證效率。器件遲滯效應可忽略（0.2%），效率再現(xiàn)性優(yōu)異（25.6 ± 0.3%），大面積器件（1.02 cm2）效率達25.4%。

4.穩(wěn)定性顯著增強

LTSD器件展現(xiàn)出長期穩(wěn)定性：在85°C/85% RH濕熱環(huán)境下老化1000小時后保持93.1%初始效率，在65°C/1-sun最大功率點追蹤下老化1000小時后保持95.4%初始效率，遠優(yōu)于對照組的43%和48.1%。

文獻參考自Nature Communications_DOI: 10.1038/s41467-025-61144-y

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